Vevői fiók
A TE kosaradban
Regisztráció

Hatékony kapcsolóüzemű Sic FET tranzisztorok a UnitedSiC-től

2019-05-14

Hatékony kapcsolóüzemű Sic FET tranzisztorok a UnitedSiC-től

SiC technológia szerint gyártott, kaszkád konfigurációjú, magas hatékonyságú FET UNITEDSIC tranzisztorcsalád. Egy tokozáson belül rendelkezünk Si MOSFET tranzisztorral optimálisan összekapcsolt JFET (SiC) tranzisztorral, aminek köszönhetően egyedi és könnyen alkalmazható kapcsolóüzemű kaszkádot kapunk. Ezek eredményesen használhatók magas frekvenciájú és extrém hőmérsékletű applikációkban, melyekben jól helyettesíthetik a MOSFET vagy IGBT tranzisztorokat.

Jellemzőik:

  • alacsony ellenállás bekapcsolási állapotban
  • akár 175°C üzemi hőmérséklet,
  • rövid lekapcsolási idő,
  • alacsony kapu kapacitás,
  • max. 650V zárófeszültség,
  • alacsony belső termikus ellenállás,
  • belső ESD védelem.

Tipikus alkalmazási területek: motorhajtások, kapcsolóüzemű tápegységek, teljesítmény tényezőt korrigáló áramkörök, induktív terhelések, szolár-panel inverterek és konverterek.

Cikkszám Megnevezés
UF3C065030K3S Tranzisztor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipoláris; kaszkád; 650V; 62A
UF3C065030K4S Tranzisztor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipoláris; kaszkád; 650V; 62A
UF3C065040K3S Tranzisztor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipoláris; kaszkád; 650V; 40A
UF3C065080K4S Tranzisztor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipoláris; kaszkád; 650V; 23A
UJ3C065030B3 Tranzisztor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipoláris; kaszkád; 650V; 47A
UJ3C065030K3S Tranzisztor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipoláris; kaszkád; 650V; 62A
UJ3C065030T3S Tranzisztor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipoláris; kaszkád; 650V; 62A
UJ3C065080B3 Tranzisztor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipoláris; kaszkád; 650V
UJ3C065080K3S Tranzisztor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipoláris; kaszkád; 650V; 23A
UJ3C065080T3S Tranzisztor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipoláris; kaszkád; 650V; 23A

A Te böngésződ már elavult, tölts le egy újabb verziót

Firefox Firefox Letöltés
Internet explorer Internet Explorer Letöltés