A Te böngésződ már elavult, tölts le egy újabb verziót

Firefox Firefox Letöltés
Internet explorer Internet Explorer Letöltés
Vevői fiók
A TE kosaradban

Legújabb SiC technológiájú Schottky diódák a WEEN SEMICONDUCTORS-tól

2018-07-03

Legújabb SiC technológiájú Schottky diódák a WEEN SEMICONDUCTORS-tól

Legújabb SiC technológiájú Schottky diódák a WEEN SEMICONDUCTORS-tól

logo ween-semiconductors

A TME kínálata egyenirányító Schottky diódák új sorozatával bővült. A WEEN SEMICONDUCTORS (korábban NXP) cég által gyártott diódák a legújabb szilícium-karbid (SiC) technológia szerint készülnek. Főbb alkalmazási területüket a magas átkapcsolási frekvenciám alapuló erőátviteli rendszerek képezik (tápegységek, konverterek, UPS-ek, stb.).

Az új diódák jellemzői:

  • magas átkapcsolási stabilitás;
  • extrém rövid kapcsolási idő;
  • magasabb teljesítmény, mint a klasszikus szilícium technológia esetében;
  • alacsonyabb zavar emisszió (EMI).

Maximális zárófeszültség: 650V
Maximális kapocs hőmérséklet: 175°C
Kiviteli technológia: SiC
Szerelés: SMD
Cikkszám Átvezetési áram Tokozás
NXPSC04650B 4A D2PAK
NXPSC04650D 4A DPAK
NXPSC06650B 6A D2PAK
NXPSC06650D 6A DPAK
NXPSC08650B 8A D2PAK
NXPSC08650D 8A DPAK
NXPSC10650B 10A D2PAK
NXPSC10650D 10A DPAK