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Driver a transistor con configurazione di uscite high & low side

2020-07-13

L'offerta della TME è stata ampliata con un ulteriore circuito integrato IX2113 dell'azienda IXYS. Il suo compito è quello di gestire il gate di transistor di tipo MOSFET o IGBT, dove è importante un'elevata velocità di commutazione. Il circuito di uscita è costituito da due canali indipendenti con stato basso e alto (high & low side). Entrambi con un rendimento in corrente di 2A.

Il driver è estremamente resistente e praticamente inalterabili agli stati indeterminati dv/dt. Tutto ciò grazie al processo tecnologico utilizzato dall'azienda IXYS: high-voltage BCDMOS su supporto SOI (silicon on insulator, ossia silicio su isolante). La BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) è una tecnologia chiave nei circuiti integrati di potenza. In un chip, combina vantaggi: dei sistemi bipolari per soluzioni analogiche, dei circuiti CMOS per applicazioni digitali, dei circuiti DMOS per alte tensioni e potenza.

Altre caratteristiche:

  • Resistenza agli stati indeterminati dv/dt
  • Compatibilità con la logica di tensione nello standard 3,3V
  • UVLO (UnderVoltage LockOut) - blocco della caduta di tensione su entrambe le uscite di stato alto e basso
     

Classe di tensione: +600V
Rendimento in corrente: -2A/+2A
Abbinamento dei ritardi di propagazione: 20ns

 
Scopri il circuito IX2113 nella versione SMD e THT »

 

Simbolo Descrizione
IX2113B IC:driver;high-/low-side,controller gate;-2÷2A;Canali:2
IX2113G IC:driver;high-/low-side,controller gate;-2÷2A;Canali:2

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