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INFORMAZIONI SUI PRODOTTI

2019-05-14

Transistor di commutazione SiC FET efficienti dell'azienda UnitedSiC

Transistor di commutazione SiC FET efficienti dell'azienda UnitedSiC
logo unitedsic
Famiglia di transistor FET UNITEDSIC ad alte prestazioni con configurazione a cascode realizzata nella tecnologia SiC. In un alloggiamento disponiamo di un transistor JFET (SiC) collegato in modo ottimale ad un transistor Si-MOSFET, in questo modo otteniamo una configurazione cascode di commutazione unica e di facile applicazione. Questa soluzione può essere utilizzata con successo in applicazioni con alta frequenza di funzionamento e condizioni termiche impegnative, in cui è possibile sostituire i transistor MOSFET o IGBT.

Caratteristiche:

  • bassa resistenza nello stato di accensione,
  • temperatura di funzionamento fino a 175°C,
  • breve tempo di spegnimento,
  • bassa capacità del gate,
  • tensione inversa fino a 650V,
  • bassa resistenza termica interna,
  • protezione ESD interna.

Applicazioni tipiche: driver per motori, alimentatori switching, sistemi di rifasamento, carichi induttivi, inverter e convertitori per pannelli solari.

Simbolo Descrizione
UF3C065030K3S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolare; cascode; 650V; 62A
UF3C065030K4S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolare; cascode; 650V; 62A
UF3C065040K3S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolare; cascode; 650V; 40A
UF3C065080K4S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolare; cascode; 650V; 23A
UJ3C065030B3 Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolare; cascode; 650V; 47A
UJ3C065030K3S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolare; cascode; 650V; 62A
UJ3C065030T3S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolare; cascode; 650V; 62A
UJ3C065080B3 Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolare; cascode; 650V
UJ3C065080K3S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolare; cascode; 650V; 23A
UJ3C065080T3S Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolare; cascode; 650V; 23A

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