Jūs pārlūkojat vietni klientiem no: Latvia. Jums ieteiktā vietnes versija ir USA / US
Klienta panelis
Jūsu grozā
Reģistrēties

Tranzistora draiveri high & low side izejas konfigurācijā

2020-07-13

Firmas TME piedāvājums tika paplašināts ar kārtēju integrēto IX2113 no firmas IXYS. Tās uzdevums ir kontrolēt MOSFET vai IGBT tipa tranzistora vārtus, kur ir svarīgs augsts pārslēgšanās ātrums. Izejas ķēdi veido divi neatkarīgi kanāli zemajā un augstajā stāvoklī (high & low side). Abi ar strāvas efektivitāti 2A.

Draiveris ir īpaši stingrs un praktiski izturīgs pret nenoteiktiem spriegumiem du/dt. Tas viss pateicoties tehnoloģiskajam procesam, ko izmanto firma IXYS: high-voltage BCDMOS uz SOI (silicon on insulator, t.i.. silīcijs uz izolatora) pamata. BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) ir galvenā tehnoloģija jaudas integrētajās shēmās. Vienā mikroshēmā tas apvieno šādas priekšrocības: bipolāras sistēmas analogiem risinājumiem, CMOS sistēmas digitāliem lietojumiem, DMOS sistēmas augstam spriegumam un jaudai.

Citas raksturlīknes:

  • Izturība pret spriegumu du/dt nenoteikta stāvokļa izmaiņām
  • Savietojamība ar sprieguma loģiku, kas darbojas 3,3 V standartā
  • UVLO (UnderVoltage LockOut) - sprieguma krituma bloķēšana gan pie liela, gan zema stāvokļa izejām
     

Sprieguma klase: +600V
Strāvas efektivitāte: -2A/+2A
Propagācijas kavējumu pielāgošana: 20ns

 
Skatīt IX2113 versijā SMD un THT »

 

Simbols Apraksts
IX2113B IC:driver;high-/low-side,vārtu draiveris;-2÷2A;Kanāli:2
IX2113G IC:driver;high-/low-side,vārtu draiveris;-2÷2A;Kanāli:2

rightColumnPicture

Jūsu pārlūkprogramma vairs netiek atbalstīta, lejupielādējiet jauno versiju