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Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | diode/transistor | |
Tension drain-source | 200V | |
Courant du drain | 225A | |
Boîtier | SP6C | |
Topologie | demi pont MOSFET + diodes linéaires + diodes parallèles | |
Montage électrique | FASTON connecteurs, vissés | |
Résistance en état de conduction | 7,2mΩ | |
Courant du drain dans l'impulsion | 1,2kA | |
Puissance de dissipation | 1,25kW | |
La technologie | POWER MOS 7® | |
Tension entrée-source | ±30V | |
Montage mécanique | vissés |