U bekijkt de website voor klanten uit: Netherlands. Op basis van uw locatiegegevens is de voorgestelde pagina voor u USA / US
Klantpaneel
In uw winkelwagen
Laat zich registreren

Transistordrivers in high & low side output-configuratie

2020-07-13

Het aanbod van TME is uitgebreid met een volgend geïntegreerd circuit IX2113 van de firma IXYS. Zijn taak is om de poort van een MOSFET- of IGBT-transistor te besturen, waar een hoge schakelsnelheid belangrijk is. Het uitgangscircuit bestaat uit twee onafhankelijke kanalen aan de lage en hoge kant (high & low side). Beiden met een stroomcapaciteit van 2A.

De driver is extreem duurzaam en praktisch bestendig tegen statussen van onbepaalde du/dt spanningen. Het is allemaal te danken aan de toepassing door het bedrijf IXYS van het technologisch proces: high-voltage BCDMOS op basis van SOI (silicium op isolator, d.w.z. silicium op de isolator). BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) is een sleuteltechnologie in stroomgeïntegreerde schakelingen. In één chip combineert het de voordelen van: bipolaire circuits voor analoge oplossingen, CMOS-circuits voor digitale toepassingen, DMOS-circuits voor hoge spanningen en vermogen.

Andere kenmerken:

  • Weerstand tegen onbepaalde spanningsveranderingen du/dt
  • Compatibiliteit met de logica van spanningen die werken in de 3.3V-standaard
  • UVLO (UnderVoltage LockOut) - blokkering van spanningsverlies bij zowel hoge als lage uitgangen 

Spanningsklasse: +600V
Stroomefficiëntie: -2A/+2A
Matchen van propagatiedelays: 20ns

 
Zie IX2113 in SMD- en THT-versie »

 

Symbool Beschrijving
IX2113B IC:driver;high-/low-side, gate driver;-2÷2A;Kanalen:2
IX2113G IC:driver;high-/low-side, gate driver;-2÷2A;Kanalen:2

rightColumnPicture

Uw browser wordt niet meer ondersteund, download een nieuwe versie

Chrome Chrome Download
Firefox Firefox Download
Internet explorer Internet Explorer Download