U bekijkt de website voor klanten uit: Netherlands. Op basis van uw locatiegegevens is de voorgestelde pagina voor u USA / US

Uw browser wordt niet meer ondersteund, download een nieuwe versie

Chrome Chrome Download
Firefox Firefox Download
Internet explorer Internet Explorer Download
Klantpaneel
In uw winkelwagen

De nieuwste Schottky-diodes van WEEN SEMICONDUCTORS in SiC-technologie

2018-07-03

De nieuwste Schottky-diodes van WEEN SEMICONDUCTORS in SiC-technologie

De nieuwste Schottky-diodes van WEEN SEMICONDUCTORS in SiC-technologie

logo ween-semiconductors

Het aanbod van TME is uitgebreid met een nieuwe serie gelijkrichterdiodes van Schottky. De diodes van WEEN SEMICONDUCTORS (voorheen NXP) zijn gemaakt in de nieuwste technologie, nl. de siliciumcarbidetechnologie (SiC). Ze worden toegepast in voedingssystemen met een hoge schakelfrequentie (voedingen, converters, UPS, enz.).

De nieuwe diodes kenmerken zich door:

  • hoge schakelstabiliteit;
  • extreem korte schakeltijd;
  • hogere efficiëntie in vergelijking met de klassieke siliciumtechnologie;
  • minder interferentie-emissie (EMI).

Maximale terugloopspanning: 650V
Maximale verbindingstemperatuur: 175°C
Uitvoeringstechnologie: SiC
Montage: SMD
Symbool Doorlaatstroom Behuizing
NXPSC04650B 4A D2PAK
NXPSC04650D 4A DPAK
NXPSC06650B 6A D2PAK
NXPSC06650D 6A DPAK
NXPSC08650B 8A D2PAK
NXPSC08650D 8A DPAK
NXPSC10650B 10A D2PAK
NXPSC10650D 10A DPAK