You are browsing the website for customers from Netherlands. Based on location data, the suggested version of the page for you is
USA / US
Change country
x

ACTUALITEITEN

2019-05-20

Niet-vluchtige geheugens van MICROCHIP

De vraag naar niet-vluchtige geheugens is grotendeels te danken aan de continue ontwikkeling van mobiele apparaten, waarin geheugens met een steeds grotere capaciteit worden gebruikt. Het gaat hier vooral om camera's, smartphone's, tablets, en fototoestellen. Het zijn de groeiende markteisen die de continue ontwikkeling van de productietechnologie van niet-vluchtige geheugens hebben afgedwongen.

De kernfunctie van niet-vluchtige geheugens is het behouden van gegevens bij het ontbreken van voeding. De aanwezigheid van voeding is wel nodig voor het schrijven en lezen van gegevens.

Zowel Microchip als de door hem overgenomen Atmel hebben een rijke ervaring in de productie van niet-vluchtige geheugens. Het productieproces gebeurt in hun eigen siliciumfabrieken. Om het hoogste kwaliteitsniveau te handhaven worden geavanceerde testprocedures ingezet. Het portfolio van de fabrikant omvat ook geheugens die AEC-Q100-gekwalificeerd zijn, wat betekent dat ze toegelaten zijn voor het gebruik in de automotive-industrie. Opmerkenswaard is dat alle tot nu toe op de markt gebrachte geheugenchips in productie worden gehouden.

EEPROM-geheugens

De EEPROM-geheugens (Electrically Erasable Programmable Read Only Memeory) behoren tot de groep van niet-vluchtige geheugens. Dit type geheugens wordt meestal gebruikt in toepassingen die de aanwezigheid van herprogrammeerbare ROM-geheugengebieden vereisen, met name in verband met de opslag van systeemconfiguratiegegevens.

Uit het oogpunt van de interface kunnen EEPROMs serieel of parallel zijn. De seriële geheugens (24xx-serie met I2C-interface, 25xx-serie met SPI-interface, 93xx-serie met Microwire-interface) worden meestal in DIP- en SOIC-behuizingen geplaatst. Hun capaciteit bedraagt meestal tientallen kB's. Het is dankzij de seriële interface, kleine afmetingen en gering energieverbruik dat deze geheugens zo vaak worden gebruikt voor de opslag van het serienummer van een apparaat of configuratie- en productiegegevens. Ook verkrijgbaar zijn seriële geheugens met een af-fabriek voorgeprogrammeerd uniek 48- of 64-bit adres, welk als MAC-adres van een apparaat kan worden gebruikt.

Niet-vluchtige geheugens van MICROCHIP

De parallelle geheugens zijn te vinden in de 28xx-serie. Een belangrijke opmerking hierbij dat qua leesfunctionaliteit en aansluitpins deze geheugens compatibel zijn met EPROMs van de 27xx-serie.

Het toepassingsbereik van EEPROM-geheugens omvat voornamelijk industriële elektronica zoals meetinstrumenten en besturingssystemen, beveiligings- en alarmsystemen, sensoren en acculaders. Zij zijn ook te vinden in IoT-apparaten. EEPROMs worden ook gebruikt in medische apparaten en in het automotive-segment. EEPROMs zijn ook niet te missen in consumentenelektronica, namelijk computerapparatuur en huishoudelijke apparaten.

Een belangrijke rol bij het waarborgen van de continuïteit van de productie van apparaten vervult de ondersteuning van Microchip wat betreft het in productie houden van EEPROM-chips die volgens de oudere technologie zijn gemaakt - 1,2um - 0,7 - 0,5 - 0,4 - 0,25 - 0,18 - 0,13um.

De ontwikkelingsrichtingen van EEPROM-geheugens omvatten voornamelijk het verminderen van energieverbruik en de introductie van ondersteuning voor nieuwe interfaces. Hierbij is het goed om aandacht te schenken aan de asynchrone UNI/O-bus die in 2008 in Microchip is ontwikkeld (11xx-serie). De bus is gebaseerd op een enkele tweerichtings SCIO-gegevenslijn (eng. Single Connection I/O), wat in totaal 3 aansluitpins biedt waardoor de behuizingen SOT23 en TO92 kunnen worden gebruikt. De nieuwste oplossing zijn geheugens met de Single-Wire-interface (21CS-serie) waar de schakeling wordt gevoed via een tweerichtings gegevenslijn, waardoor het aantal aansluitpins kan worden beperkt tot twee (SI/O + GND).

Flashgeheugens

In vergelijking tot EEPROM-geheugens kenmerken Niet-vluchtige FLASH-geheugens zich door kortere schrijf- en leestijden, wat echter tot gevolg heeft dat het niet mogelijk is om individuele bytes te schrijven en te lezen. Hier wordt het lezen en schrijven in grotere geheugengebieden, zogenaamde pagina's (128/256 bytes) uitgevoerd. De door Microchip aangeboden Flashgeheugens hebben een parallelle (de SST39-serie) of seriële interface (SPI in de SST25-serie, SQI in de SST26-serie). Belangrijke parameters van Flashgeheugens zijn: geheugencapaciteit (4 Mbit), werkfrequentie (bijv. 40 MHz), werkspanning (bijv. 2,3 – 3,6V), soort behuizing (bijv. TDFN8), montagewijze (bijv. SMD) en werktemperatuur (bijv. -40-85°C).

Opmerkenswaard is het gebruik in de chips van de SuperFlash technologie die zorgt voor een lager stroomverbruik bij een zeer korte wistijd van gegevens. De SQI-interface zorgt op zijn beurt voor een snelle gegevensoverdracht en gebruikt tegelijkertijd een minimaal aantal pinnen.

EERAM-geheugens

EERAM is een combinatie van het snelle SRAM-geheugen (Static Random-Access Memory) en het niet-vluchtige EEPROM-geheugen waar een kopie van de SRAM-geheugen wordt bewaard (I2C, 47x-serie). Een dergelijke combinatie zorgt ervoor dat bij problemen met voeding de inhoud van het cache-geheugen kan worden hersteld vanaf de reservekopie. Daarom maakt de EERAM gebruik van een externe condensator, die als voedingsbron fungeert gedurende de tijd die nodig is om de inhoud van het geheugen te kopiëren.

Het is goed om daarbij op te merken dat deze chips veel gemeen hebben met de NVSRAM-chips (Non-volatile Static Random-Access Memory – 23XX-serie), die ook de functie van het vasthouden van de inhoud van RAM hebben. Het verschil is dat voor een goede werking van de laatste een extra voedingsbron nodig is – een accu of een batterij, en in het geval van EERAM-geheugens niet, hetgeen de productiekosten van een apparaat beïnvloedt.

Belangrijk is dat het aantal schrijf- en leesbewerkingen van gegevens onbeperkt is. Afhankelijk van toepassingsbehoeften wordt gekozen voor een EERAM met de capaciteit van 4kb of 16kb.

Tijdens de werking zorgt de interne logica voor de bewaking van de voedingstoestand in realtime. Hierdoor worden alle stroomuitvallen en spanningsdalingen met inachtneming van een ingestelde drempel (Vtrip) gedetecteerd. Bij detectie van een van deze toestanden wordt gestart met het kopiëren van de inhoud van SRAM naar EEPROM. Belangrijk hier is de externe condensator die aangesloten is op de Vcap-pins van de schakeling. Zodra de voedingsspanning weer boven het Vtrip-niveau stijgt, wordt de inhoud van EEPROM naar SRAM gekopieerd. Het moet worden benadrukt dat de inhoud van SRAM op elk gewenst moment te herstellen is door een programma-trigger. Samengevat:

EERAM-geheugens zijn perfect geschikt voor gebruik in toepassingen waar het noodzakelijk is om de inhoud van geheugencellen vaak en snel bij te werken en tegelijkertijd de daar opgeslagen gegevens bij uitval van voedingsspanning te behouden. Ze zijn dus ideaal voor gebruik in meetelektronica (energie-, gas-, vloeistofmeters), industriële en consumentenelektronica (POS-betaalterminals, informatieterminals, printers) en automotive-oplossingen (data loggers, sensoren).

linecard

Selecteer een fabrikant of categorie om producten te bekijken.

Quick Buy

?
produkt symbool aantal
Voorbeeld

Overige opties van Quick Buy

paypal_help

Deze website maakt gebruik van cookies. Klik hier, voor meer informatie over cookies en over hoe u onze cookies kunt beheren.

Niet meer weergeven