Twoja przeglądarka nie jest już wspierana, pobierz nową wersję.

Chrome Chrome Pobierz
Firefox Firefox Pobierz
Opera Opera Pobierz
Internet explorer Internet Explorer Pobierz
Panel klienta
W Twoim koszyku

Moduły tranzystorowe MOSFET firmy DACO

2020-01-21

STE53NC50

W ofercie TME pojawiły się moduły tranzystorowe MOSFET w technologii węglika krzemu (silicon carbide, SiC), produkowane przez tajwańską firmę DACO Semiconductor. Dostępne są w popularnej i wygodnej obudowie SOT227 z izolowaną podstawą.

Dzięki zastosowaniu technologii SiC, moduły mogą pracować przy wyższej temperaturze złącza. Nadają się świetnie do aplikacji o utrudnionym odprowadzaniu ciepła i pracy w trudnych warunkach termicznych oraz tam, gdzie niezbędne jest ograniczenie strat mocy. Znajdują zastosowanie w falownikach współpracujących z panelami fotowoltaicznymi, w konwerterach mocy, sterownikach silników, ładowarkach akumulatorowych oraz w zasilaczach impulsowych.

Zobacz nowe moduły DACO »

Charakterystyka:
Napięcie dren-źródło: do 1200V
Prąd przewodzenia: do 125A
Maksymalna temperatura złącza: 150⁰C
Technologia wykonania: SiC
Montaż: przykręcany
Obudowa: SOT227

Symbol: Opis:
DACMI40N1200-DCO Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 25A; SOT227B; przykręcany
DACMI80N1200-DCO Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 50A; SOT227B; przykręcany
DACMI120N1200-DCO Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 76A; SOT227B; przykręcany
DACMI160N1200-DCO Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 110A; SOT227B; przykręcany
DACMI200N1200-DCO Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 125A; SOT227B; przykręcany