Przeglądasz stronę dla klientów z: Poland. Sugerowana wersja serwisu dla Ciebie to USA / US

Twoja przeglądarka nie jest już wspierana, pobierz nową wersję.

Chrome Chrome Pobierz
Firefox Firefox Pobierz
Opera Opera Pobierz
Internet explorer Internet Explorer Pobierz
Panel klienta
W Twoim koszyku

Drivery tranzystorowe w konfiguracji wyjścia high & low side

2020-07-13

Drivery tranzystorowe w konfiguracji wyjścia high & low side

logo IXYS

Oferta firmy TME została rozszerzona o kolejny układ scalony IX2113 firmy IXYS. Jego zadaniem jest sterowanie bramką tranzystora typu MOSFET lub IGBT, gdzie ważna jest duża szybkość przełączania. Obwód wyjściowy to dwa niezależne kanały w stanie niskim i wysokim (high & low side). Oba o wydajności prądowej 2A.

Driver jest ekstremalnie wytrzymały i praktycznie odporny na stany nieustalone napięć du/dt. To wszystko dzięki zastosowaniu przez firmę IXYS procesu technologicznego: high-voltage BCDMOS na podłożu SOI (silicon on insulator, tj. krzem na izolatorze). BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) to kluczowa technologia w układach scalonych mocy. W jednym chipie łączy zalety: układów bipolarnych do rozwiązań analogowych, układów CMOS do zastosowań cyfrowych, układów DMOS do wysokich napięć i mocy.

Inne cechy:

  • Odporność na zmiany stanów nieustalonych napięcia du/dt
  • Kompatybilność z logiką napięć pracujących w standardzie 3,3V
  • UVLO (UnderVoltage LockOut) - blokada spadku napięcia na obu wyjściach stanie wysokim i niskim
     

Klasa napięciowa: +600V
Wydajność prądowa: -2A/+2A
Dopasowanie opóźnień propagacyjnych: 20ns

 
Zobacz IX2113 w wersji SMD i THT »

 

Symbol Opis
IX2113B IC:driver;high-/low-side,sterownik bramkowy;-2÷2A;Kanały:2
IX2113G IC:driver;high-/low-side,sterownik bramkowy;-2÷2A;Kanały:2

rightColumnPicture