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Controladores de transístores em configuração de saída high & low side

2020-07-13

A oferta da TME inclui agora outro circuito integrado IX2113 da marca IXYS. O seu objetivo é controlar a porta de um transístor MOSFET ou IGBT, no qual a alta velocidade de comutação é importante. O circuito de saída tem dois canais independentes, no lado baixo e alto (high & low side). Ambos contam uma capacidade energética de 2A.

O controlador é extremamente duradouro e bastante resistente em tensão transitória du/dt. Tudo graças à utilização por parte da empresa IXYS do seguinte processo tecnológico: high-voltage BCDMOS baseado no SOI (silicon on insulator, ou seja, silicone sobre isolante). BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) é uma tecnologia chave em circuitos integrados de potência. Um só chip combina diversos tipos de vantagens: circuitos bipolares para soluções analógicas, circuitos CMOS para aplicações digitais, circuitos DMOS para altos voltagens e potência.

Outras características:

  • Resistência a mudanças de tensão transitória du/dt
  • Compatibilidade com o sistema de tensão que funciona no standard de 3.3V
  • UVLO (UnderVoltage LockOut): bloqueia a quebra de tensão em ambas saídas, alta e baixa  

Classe energética: +600V
Eficiência de corrente: -2A/+2A
Ajustes de propagação de atrasos: 20ns

 
Consulte o IX2113 na versão SMD e THT »

 

Símbolo Descrição
IX2113B IC:driver;high-/low-side, controlador de porta;-2÷2A;Canais:2
IX2113G IC:driver;high-/low-side, controlador de porta;-2÷2A;Canais:2

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