Browserul dvs. nu mai este suportat, descărcaţi o versiune nouă

Panou client
Coşul dvs.

Tranzistoare eficiente de comutaţie SiC FET cu UnitedSiC

2019-05-14

Tranzistoare eficiente de comutaţie SiC FET cu UnitedSiC

Gamă de tranzistoare de înaltă eficienţă FET UNITEDSIC, în configuraţie tip cascod, fabricate în tehnologie SiC. Într-o singură carcasă se află un tranzistor JFET (SiC) conectat în mod optim cu un tranzistor Si-MOSFET, astfel încât obţinem o configuraţie tip cascod de comutaţie unică şi uşor de aplicat. Acestea pot fi utilizate cu succes în aplicaţii de înaltă frecvenţă şi în condiţii termice extreme, în care pot înlocui tranzistoarele MOSFET sau IGBT.

Sunt caracterizate de:

  • rezistenţă scăzută în starea de cuplare,
  • temperatură de lucru de până la 175°C,
  • timp scurt de decuplare,
  • capacitate redusă a porţii,
  • tensiune inversă de până la 650V,
  • rezistenţă termică internă redusă,
  • protecţie internă ESD.

Utilizări standard: drivere de motor, alimentatoare pulsatorii, circuite de corecţie a factorului de putere, sarcini inductive, invertoare şi convertoare pentru panouri solare.

Simbol Descriere
UF3C065030K3S Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; tip cascod; 650V; 62A
UF3C065030K4S Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; tip cascod; 650V; 62A
UF3C065040K3S Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; tip cascod; 650V; 40A
UF3C065080K4S Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; tip cascod; 650V; 23A
UJ3C065030B3 Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; tip cascod; 650V; 47A
UJ3C065030K3S Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; tip cascod; 650V; 62A
UJ3C065030T3S Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; tip cascod; 650V; 62A
UJ3C065080B3 Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; tip cascod; 650V
UJ3C065080K3S Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; tip cascod; 650V; 23A
UJ3C065080T3S Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; tip cascod; 650V; 23A