Ați accesat site-ul pentru clienții din: Romania. Pe baza datelor dvs. de localizare, vă sugerăm versiunea paginii din USA / US

Browserul dvs. nu mai este suportat, descărcaţi o versiune nouă

Panou client
Coşul dvs.

Drivere de tranzistoare în configurația de ieșire high & low side

2020-07-13

Oferta TME a fost extinsă cu noul circuit integrat IX2113 de la IXYS. Sarcina acestuia este de a comanda poarta unui tranzistor de tip MOSFET sau IGBT, unde este importantă viteza mare de comutare. Circuitul de ieșire este format din două canale independente în partea inferioară și în partea superioară (high & low side). Ambele au un randament de curent de 2A.

Driverul este extrem de durabil și practic rezistent la tensiunile tranzitorii du/dt. Acest lucru se datorează procesului tehnologic utilizat de firma IXYS: high-voltage BCDMOS pe substrat SOI (silicon on insulator, adică siliciu pe izolator). BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) este o tehnologie cheie în circuitele integrate de putere. Într-un singur cip combină avantajele circuitelor bipolare pentru soluții analogice, circuitelor CMOS pentru aplicații digitale, circuitelor DMOS pentru tensiuni înalte și putere.

Alte caracteristici:

  • Rezistență la variațiile tranzitorii de tensiune du/dt
  • Compatibilitate cu nivelul logic de tensiuni care funcționează în standardul 3,3V
  • UVLO (UnderVoltage LockOut) - blocarea căderii de tensiune pe ambele ieșiri în partea inferioară și superioară  

Clasa de tensiune: +600V
Randament de curent: -2A/+2A
Ajustarea întârzierilor de propagare: 20ns

 
Vedeți IX2113 în versiunile SMD și THT »

 

Simbol Descriere
IX2113B IC:driver;high-/low-side,driver de poartă;-2÷2A;Canale:2
IX2113G IC:driver;high-/low-side, driver de poartă;-2÷2A;Canale:2

rightColumnPicture