Вы находитесь на сайте для клиентов из: Russian Federation. Рекомендуемая вам версия сайта USA / US

Ваш браузер уже не поддерживается, загрузите новую версию

Панель клиента
В вашей корзине

Асинхронные 8 битовые 1M накопители памяти SRAM линейки AS6C1008

2014-06-30

Асинхронные 8 битовые 1M накопители памяти SRAM линейки AS6C1008

Асинхронные 8 битовые 1M накопители памяти SRAM линейки AS6C1008

logo alliance memory

Накопители памяти линейки ALLIANCE MEMORY серии AS6C1008 являются схемами, выполненными по технологии CMOS, в которых особый упор сделан на сниженное потребление мощности.

Организация памяти 128к x 8бит
Время доступа 55нс
Рабочее напряжение от 2,7В до 5,5В
Потребление тока 10мA (operating) / 1мкА (standby)
Тристабильный логический выход
Символ Описание
AS6C1008-55PCN Память; SRAM; 128к х 8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32
AS6C1008-55PIN Память; SRAM; 128к х 8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32
AS6C1008-55SIN Память; SRAM; 128к х 8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32; 450mils
AS6C1008-55TIN Память; SRAM; 128к х 8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
AS6C1008-55STIN Память; SRAM; 128к х 8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP32

ЧИТАТЬ ТАКЖЕ