Panel zákazníka
Vo Vašom košíku
Zaregistruj sa

Tranzistorové drivery s konfiguráciou výstupu high & low side

2020-07-13

Ponuka spoločnosti TME sa rozšírila o ďalší integrovaný obvod IX2113 spoločnosti IXYS. Jeho úlohou je ovládať hradlo tranzistora typu MOSFET alebo IGBT, pričom dôležitá je veľká rýchlosť prepínania. Výstupný obvod predstavujú dva nezávislé kanály v spodnom a vrchnom stave (high & low side). Oba s kapacitou 2A.

Budič je extrémne odolný trvácny a prakticky odolný voči prechodným stavom napätia du/dt. To všetko vďaka tomu, že spoločnosť IXYS využila technologický proces: high-voltage BCDMOS na podklade SOI (silicon on insulator, t.j. kremík na izolátore). BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) je kľúčová technológia v integrovaných obvodoch. V jednom čipe spája výhody bipolárnych obvodov pre analógové riešenia, CMOS pre digitálne aplikácie, DMOS pre vysoké napätia a výkony.

Iné vlastnosti:

  • Odolnosť voči zmenám prechodných stavov napätia du/dt
  • Kompatibilita s logikou napätí pracujúcich v štandarde 3,3V
  • UVLO (UnderVoltage LockOut) – blokovanie poklesu napätia na oboch výstupoch vo vrchnom a spodnom stave  

Napäťová trieda: +600V
Výstupný prúd: -2A/+2A
Prispôsobenie propagačného oneskorenia: 20ns

 
Pozrieť IX2113 vo verzii SMD a THT »

 

Symbol Opis
IX2113B IC:driver;high-/low-side,budič hradiel;-2÷2A;Kanály:2
IX2113G IC:driver;high-/low-side,budič hradiel;-2÷2A;Kanály:2

rightColumnPicture

Váš prehliadač už nie je podporovaný, stiahnite si novú verziu