APTM120DA30CT1G
Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; 657W
المصنع: MICROCHIP TECHNOLOGY
علامة الشركة المصنعة:
APTM120DA30CT1G
رمز TME:
APTM120DA30CT1G
المواصفات
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | ||
Semiconductor structure | SiC diode/transistor | ||
Drain-source voltage | 1,2kV | ||
Drain current | 23A | ||
Case | SP1 | ||
Topology | boost chopper, NTC thermistor | ||
Electrical mounting | Press-in PCB | ||
On-state resistance | 0,36Ω | ||
Pulsed drain current | 195A | ||
Power dissipation | 657W | ||
Technology | POWER MOS 8®, SiC | ||
Gate-source voltage | ±30V | ||
Mechanical mounting | screw |
الوزن الإجمالي80 g
شهادات
شركة Transfer Multisort Elektronik ش.ذ.م.م. هي مستورد لمنتجات هذه الماركة
شاهد منتجات أخرى من هذه الفئة: Transistor drivers MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM120DA30CT1Gعدد القطع (المضاعف: 12)
0 في مستودع TME
السعر الصافي للكميات من 12 pcs - 75.19 USDالسعر الإجمالي للكميات من 12 pcs - 75.19 USD
العرض متاح للعملاء الذين قاموا بتسجيل الدخول