B2M600170H
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
المصنع: BASiC SEMICONDUCTOR
علامة الشركة المصنعة:
B2M600170H
رمز TME:
B2M600170H
المواصفات
Manufacturer | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Type of transistor | N-MOSFET | |
Technology | SiC | |
Polarisation | unipolar | |
Drain-source voltage | 1,7kV | |
Drain current | 5A | |
Pulsed drain current | 10A | |
Power dissipation | 75W | |
Case | TO247-3 | |
Gate-source voltage | -4...18V | |
On-state resistance | 0,6Ω | |
Mounting | THT | |
Gate charge | 14nC | |
Kind of package | tube | |
Kind of channel | enhancement |
الوزن الإجمالي6.2 g
شهادات
شركة Transfer Multisort Elektronik ش.ذ.م.م. هي مستورد لمنتجات هذه الماركة
شاهد منتجات أخرى من هذه الفئة: ترانزستورات THT ذات قناة N BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2M600170Hعدد القطع (المضاعف: 1)
0 في مستودع TME
السعر الصافي للكميات من 1 pcs - 1.07 EURالسعر الإجمالي للكميات من 1 pcs - 1.07 EUR
السعر الصافي للكميات من 10 pcs - 0.97 EURالسعر الإجمالي للكميات من 10 pcs - 0.97 EUR
السعر الصافي للكميات من 30 pcs - 0.86 EURالسعر الإجمالي للكميات من 30 pcs - 0.86 EUR
السعر الصافي للكميات من 120 pcs - 0.77 EURالسعر الإجمالي للكميات من 120 pcs - 0.77 EUR
السعر الصافي للكميات من 300 pcs - 0.72 EURالسعر الإجمالي للكميات من 300 pcs - 0.72 EUR
طريقة التغليف من قبل الشركة المصنعةعصا = 30 pcs