+1 500 000 proizvoda u ponudi

6000 paketa isporučenih svaki dan

+300 000 klijenata u 150 zemalja

Quick Buy Omiljeni
Košarica

Obavještavamo da će od 26. siječnja 2026. godine doći do poteškoća u dostavi robe zbog prosvjeda prijevoznika iz zemalja Zapadnog Balkana.

Za nesmetanu dostavu robe molimo vas da odaberete zračni prijevoz.

APTM120DA30CT1G

Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; 657W

Proizvođač: MICROCHIP TECHNOLOGY

Oznaka proizvođača:
APTM120DA30CT1G
TME Simbol:
APTM120DA30CT1G

Specifikacija

Manufacturer
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
SiC diode/transistor
Drain-source voltage
1,2kV
Drain current
23A
Case
SP1
Topology
boost chopper, NTC thermistor
Electrical mounting
Press-in PCB
On-state resistance
0,36Ω
Pulsed drain current
195A
Power dissipation
657W
Technology
POWER MOS 8®, SiC
Gate-source voltage
±30V
Mechanical mounting
screw
Težina bruto80 g
Certifikati

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. je uvoznik proizvoda ove marke

Pogledajte ostale proizvode u ovoj kategoriji: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
*
APTM120DA30CT1G
0 na skladištu u TME
Net cijena za količine od 12 komad - 75.25 USDBruto cijena za količine od 12 komad - 75.25 USD
Broj komada (Višekratnost: 12)