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APT64GA90B2D30

Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; T-Max

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT64GA90B2D30
Référence TME:
APT64GA90B2D30

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
IGBT
La technologie
POWER MOS 8®, PT
Tensions collecteur-émetteur
900V
Courant du collecteur
64A
Puissance de dissipation
500W
Boîtier
T-Max
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
193A
Montage
THT
Charge d'entrée
162nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
44ns
Temps d'extinction
352ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut6 g
Certificates

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APT64GA90B2D30
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 17.55 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 21.23 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 15.95 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 19.30 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 14.02 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 16.97 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)