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B1M080120HC

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 27A; Idm: 80A; 241W


Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
B1M080120HC
Référence TME:
B1M080120HC

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
27A
Courant du drain dans l'impulsion
80A
Puissance de dissipation
241W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée-source
-5...20V
Résistance en état de conduction
80mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
149nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut6.26 g
Certificates

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B1M080120HC
36 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 17.13 GBPPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 20.73 GBP
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 15.42 GBPPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 18.65 GBP
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 13.62 GBPPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 16.48 GBP
Prix net pour les quantités de 150 pcs - 11.48 GBPPrix brut pour les quantités de 150 pcs - 13.89 GBP
Prix net pour les quantités de 600 pcs - 10.96 GBPPrix brut pour les quantités de 600 pcs - 13.27 GBP
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs