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Fabricant	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur	de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur	transistor/transistor
Tension drain-source	1,2kV
Courant du drain	300A
Boîtier	B3.7
Topologie	demi-pont MOSFET
Montage électrique	FASTON connecteurs, vissés
Résistance en état de conduction	7,5mΩ
Courant du drain dans l'impulsion	1,096kA
La technologie	SiC
Tension entrée-source	±20V
Montage mécanique	vissés

MD300HFR120B3S

Module; transistor/transistor; 1,2kV; 300A; B3.7; Idm: 1,096kA; SiC

Spécification