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Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de diode | TVS | |
Puissance dispercée dans l'impulsion max. | 3kW | |
Tension inverse max. | 13V | |
Tension de claquage | 14,4V | |
Courant d'impulsion max. | 139,4A | |
Construction de semi-conducteur | bidirectionnelle | |
Boîtier | DO214AB, SMC | |
Montage | SMD | |
Nombre de canaux | 1 | |
Température de travail | -65...150°C |