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Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | de transistor BJT | |
Tension drain-source | 100V | |
Courant du drain | 120A | |
Boîtier | Gull wing, ISOPLUS-DIL™ | |
Résistance en état de conduction | 4mΩ | |
Puissance de dissipation | 1,2kW | |
La technologie | Trench | |
Genre de canal | enrichi | |
Charge d'entrée | 88nC | |
Temps d'attente | 45ns | |
Tension entrée-source | -15...15V | |
Montage | SMD | |
Utilisation | industrie automobile |