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Fabricant	NTE Electronics
Type de transistor	IGBT
Tensions collecteur-émetteur	1,2kV
Courant du collecteur	25A
Puissance de dissipation	200W
Boîtier	TO3P
Tension entrée - émetteur	±20V
Courant du collecteur d'impulsion	50A
Montage	THT
Temps de connection	0,4µs
Temps d'extinction	0,8µs

NTE3323

Transistor: IGBT; 1,2kV; 25A; 200W; TO3P

Spécification