QS8J2TR

Name: ROHM SEMICONDUCTOR QS8J2TR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: QS8J2TR
Availability: OutOfStock

Transistor: P-MOSFET x2; unipolaire; -12V; -4A; Idm: -12A; 1,5W

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:

QS8J2TR

Référence TME:

QS8J2TR

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.23 EURPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.48 EUR

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.78 EURPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.94 EUR

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.52 EURPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.63 EUR

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.41 EURPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.49 EUR

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.37 EURPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.44 EUR

Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.32 EURPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.38 EUR

Prix net pour les quantités de 24000 pcs - 0.28 EURPrix brut pour les quantités de 24000 pcs - 0.34 EUR

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

Fabricant	ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor	P-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	-12V
Courant du drain	-4A
Courant du drain dans l'impulsion	-12A
Puissance de dissipation	1,5W
Boîtier	TSMT8
Tension entrée-source	±10V
Résistance en état de conduction	132mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	20nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi
Version	ESD