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2SD315AI

Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

Hersteller: POWER INTEGRATIONS

Hersteller-Nr.:
2SD315AI
Symbol TME:
2SD315AI

Technische Daten

Hersteller
POWER INTEGRATIONS
Typ des Halbleitermoduls
gate driver board
Topologie
IGBT Halbbrücke, MOSFET Halbbrücke
Montage
Stiftleiste
Betriebstemperatur
-40...85°C
Technologie
SCALE™-1
Spannungsklasse
1,7kV
Frequenz
0,1MHz
Ausgangsstrom
18A
Ausgangs-Art
Steuerung IGBT
Eigenschafte integrierter Schaltkreise
integrierter DC/DC Wandler
Versorgungsspannung
  • 0...16V DC
Bruttogewicht50 g
Zertifikate
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