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APT150GN120J

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 99A; SOT227B

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY

Kennzeichnung des Herstellers:
APT150GN120J
Symbol TME:
APT150GN120J
MICROCHIP TECHNOLOGY - logo

Technische Daten

Hersteller
MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
einzelner Transistor
Rückspannung max.
1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom
99A
Gehäuse
SOT227B
Anwendung
für Induktionsbelastungen, für UPS, Motoren, SMPS
Elektrische Montage
schraubbar
Gate - Emitter Spannung
±30V
Kollektorstrom im Impuls
450A
Technologie
Field Stop, Trench
Verpackungs-Art
Tube
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht30 g
Zertifikate

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APT150GN120J
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