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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	50A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Gate - Emitter Spannung	±30V
Kollektorstrom im Impuls	200A
Technologie	NPT, NPT Ultra Fast IGBT, POWER MOS 8®
Verpackungs-Art	Tube
Mechanische Montage	schraubbar

APT50GR120JD30

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke