APT60GF120JRDQ3
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 79A; SOT227B
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APT60GF120JRDQ3
Symbol TME:
APT60GF120JRDQ3
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 79A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Gate - Emitter Spannung | ±30V | |
Kollektorstrom im Impuls | 300A | |
Technologie | Fast IGBT, FRED, NPT | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT-Module MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT60GF120JRDQ3Anzahl Stück (Vielfache: 1)
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 163.38 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 163.38 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 147.05 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 147.05 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 130.72 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 130.72 USD
Angebot verfügbar für eingeloggte Kunden