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APT70GR120J

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 70A; SOT227B

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY

Kennzeichnung des Herstellers:
APT70GR120J
Symbol TME:
APT70GR120J
MICROCHIP TECHNOLOGY - logo

Technische Daten

Hersteller
MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
einzelner Transistor
Rückspannung max.
1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom
70A
Gehäuse
SOT227B
Elektrische Montage
schraubbar
Gate - Emitter Spannung
±30V
Kollektorstrom im Impuls
280A
Technologie
NPT, NPT Ultra Fast IGBT, POWER MOS 8®
Verpackungs-Art
Tube
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht30 g
Zertifikate

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