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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	SiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	600V
Drainstrom	38A
Gehäuse	SP4
Topologie	Brücke H, NTC Thermistor
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand	45mΩ
Drainstrom im Impuls	130A
Verlustleistung	250W
Technologie	CoolMOS™, SiC, SJ-MOSFET
Gate-Source Spannung	±20V
Mechanische Montage	schraubbar

APTC60HM45SCTG

Modul; SiC-Diode/Transistor; 600V; 38A; SP4; Idm: 130A; 250W

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke