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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Topologie	boost chopper
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	475A
Gehäuse	D3
Anwendung	Motoren
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	900A
Technologie	Field Stop, Trench
Mechanische Montage	schraubbar

APTGL475DA120D3G

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; D3

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke