APTGLQ150H120G
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; Brücke H; Urmax: 1,2kV; SP6C
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTGLQ150H120G
Symbol TME:
APTGLQ150H120G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Topologie | Brücke H | ||
Rückspannung max. | 1,2kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 150A | ||
Gehäuse | SP6C | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 480A | ||
Technologie | Field Stop, Trench | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
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* APTGLQ150H120GAnzahl Stück (Vielfache: 5)
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Nettopreis für Mengen von 5 st - 190.32 EURBruttopreis für Mengen von 5 st - 190.32 EUR
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