APTGT150A120TG
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTGT150A120TG
Symbol TME:
APTGT150A120TG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | IGBT Halbbrücke, NTC Thermistor | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 150A | |
Gehäuse | SP4 | |
Elektrische Montage | Löten, Steckverbinder FASTON | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 350A | |
Verlustleistung | 690W | |
Technologie | Field Stop | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht160 g
Zertifikate
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* APTGT150A120TG
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