APTGT200DA120G
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; SP6C
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTGT200DA120G
Symbol TME:
APTGT200DA120G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Topologie | boost chopper | ||
Rückspannung max. | 1,2kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 200A | ||
Gehäuse | SP6C | ||
Anwendung | Motoren | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 400A | ||
Technologie | Field Stop, Trench | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
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* APTGT200DA120GAnzahl Stück (Vielfache: 7)
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Nettopreis für Mengen von 7 st - 117.73 EURBruttopreis für Mengen von 7 st - 117.73 EUR
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