APTGT30TL601G
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Level 1-Phasen Wechselrichter
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTGT30TL601G
Symbol TME:
APTGT30TL601G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Topologie | 3-Level 1-Phasen Wechselrichter | |
Rückspannung max. | 0,6kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 30A | |
Gehäuse | SP1 | |
Anwendung | Photovoltaik | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 60A | |
Technologie | Field Stop, Trench | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht80 g
Zertifikate
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* APTGT30TL601GAnzahl Stück (Vielfache: 18)
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Nettopreis für Mengen von 18 st - 44.23 EURBruttopreis für Mengen von 18 st - 44.23 EUR
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