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APTGT50DH170TG

Modul: IGBT; Diode/Transistor; asymmetrische Brücke; Urmax: 1,7kV


Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY

Kennzeichnung des Herstellers:
APTGT50DH170TG
Symbol TME:
APTGT50DH170TG

Technische Daten

Hersteller
MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
Diode/Transistor
Topologie
asymmetrische Brücke, NTC Thermistor
Rückspannung max.
1,7kV
Kollektor-Emitter-Strom
50A
Gehäuse
SP4
Elektrische Montage
Löten, Steckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
100A
Technologie
Field Stop, Trench
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht160 g
Zertifikate

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APTGT50DH170TG
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