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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Topologie	IGBT Halbbrücke
Rückspannung max.	0,6kV
Kollektor-Emitter-Strom	600A
Gehäuse	SP6
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	800A
Verlustleistung	2,3kW
Technologie	Field Stop
Mechanische Montage	schraubbar

APTGT600A60G

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke