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APTGTQ200A65T3G

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V


Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY

Kennzeichnung des Herstellers:
APTGTQ200A65T3G
Symbol TME:
APTGTQ200A65T3G

Technische Daten

Hersteller
MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
Transistor/Transistor
Topologie
IGBT Halbbrücke, NTC Thermistor
Rückspannung max.
650V
Kollektor-Emitter-Strom
120A
Gehäuse
SP3F
Anwendung
Motoren
Elektrische Montage
Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
400A
Technologie
Field Stop, Trench
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht110 g
Zertifikate

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APTGTQ200A65T3G
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