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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	1kV
Drainstrom	59A
Gehäuse	SP6C
Topologie	boost chopper
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand	0,105Ω
Drainstrom im Impuls	312A
Verlustleistung	1,25kW
Technologie	POWER MOS 7®
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APTM100DAM90G

Modul; Diode/Transistor; 1kV; 59A; SP6C; Topologie: boost chopper

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke