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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung	100V
Drainstrom	207A
Gehäuse	SP4
Topologie	MOSFET Halbbrücke, NTC Thermistor
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand	5mΩ
Drainstrom im Impuls	1100A
Verlustleistung	780W
Technologie	FREDFET, POWER MOS 5®
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APTM10AM05FTG

Modul; Transistor/Transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke