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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	100V
Drainstrom	207A
Gehäuse	SP6C
Topologie	asymmetrische Brücke
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand	5mΩ
Drainstrom im Impuls	1100A
Verlustleistung	780W
Technologie	POWER MOS 5®
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APTM10DHM05G

Modul; Diode/Transistor; 100V; 207A; SP6C; Idm: 1100A; 780W

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke