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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	gemeinsame Quelle, Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung	100V
Drainstrom	370A
Gehäuse	SP6C
Topologie	MOSFET x2
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand	2,5mΩ
Drainstrom im Impuls	1900A
Verlustleistung	1,25kW
Technologie	POWER MOS 5®
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APTM10DUM02G

Modul; Transistor/Transistor,gemeinsame Quelle; 100V; 370A; SP6C

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke