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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung	500V
Drainstrom	74A
Gehäuse	SP6C
Topologie	Brücke H
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand	39mΩ
Drainstrom im Impuls	396A
Verlustleistung	781W
Technologie	FREDFET, POWER MOS 7®
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APTM50HM35FG

Modul; Transistor/Transistor; 500V; 74A; SP6C; Topologie: Brücke H

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke