B2D20120F1
Diode: Gleichrichterdiode Schottky; TO263-2; SiC; SMD; 1,2kV; 20A
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
B2D20120F1
Symbol TME:
B2D20120F1
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Dioden-Typ | Gleichrichterdiode Schottky | ||
Gehäuse | TO263-2 | ||
Technologie | SiC | ||
Montage | SMD | ||
Rückspannung max. | 1,2kV | ||
Vorwärtsstrom | 20A | ||
Struktur des Halbleiters | einzelne Diode | ||
Vorwärtsspannung max. | 1,8V | ||
Leck strom | 33µA | ||
Strom im max. Impuls | 180A | ||
Verpackungs-Art | Band, Rolle | ||
Verlustleistung | 122W |
Bruttogewicht1.5 g
Zertifikate
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