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B3D20120H

Diode: Gleichrichterdiode Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 20A; TO247-2

Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:
B3D20120H
Symbol TME:
B3D20120H

Technische Daten

Hersteller
BASiC SEMICONDUCTOR
Dioden-Typ
Gleichrichterdiode Schottky
Technologie
SiC
Montage
THT
Rückspannung max.
1,2kV
Vorwärtsstrom
20A
Struktur des Halbleiters
einzelne Diode
Gehäuse
TO247-2
Strom im max. Impuls
160A
Verlustleistung
259W
Verpackungs-Art
Tube
Bruttogewicht1 g
Zertifikate

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