BGH50N65HS1
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
BGH50N65HS1
Symbol TME:
BGH50N65HS1
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Technologie | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 50A | |
Verlustleistung | 357W | |
Gehäuse | TO247-3 | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 200A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 308nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Anschaltzeit | 54ns | |
Ausschaltzeit | 256ns | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht6.26 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 30 st