BGH75N65HF1
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Kennzeichnung des Herstellers:
BGH75N65HF1
Symbol TME:
BGH75N65HF1
Technische Daten
Hersteller | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Technologie | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 75A | |
Verlustleistung | 405W | |
Gehäuse | TO247-3 | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 300A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 444nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Anschaltzeit | 104ns | |
Ausschaltzeit | 376ns | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht5 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT THT-Transistoren BASiC SEMICONDUCTOR,
* BGH75N65HF1Anzahl Stück (Vielfache: 1)
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 11.96 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 11.96 USD
Nettopreis für Mengen von 5 st - 10.75 USDBruttopreis für Mengen von 5 st - 10.75 USD
Nettopreis für Mengen von 30 st - 9.50 USDBruttopreis für Mengen von 30 st - 9.50 USD
Nettopreis für Mengen von 150 st - 7.96 USDBruttopreis für Mengen von 150 st - 7.96 USD
Nettopreis für Mengen von 600 st - 7.87 USDBruttopreis für Mengen von 600 st - 7.87 USD