DCG85X1200NA
Modul: Diodenl; doppelt unabhängig; 1,2kV; If: 41Ax2; SOT227B; 82A
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
DCG85X1200NA
Symbol TME:
DCG85X1200NA
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Diodenl | |
Struktur des Halbleiters | doppelt unabhängig | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Vorwärtsstrom | 41A x2 | |
Gehäuse | SOT227B | |
Vorwärtsspannung max. | 2,2V | |
Strom im max. Impuls | 1,15kA | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Vorwärtsstrom max. | 82A | |
Mechanische Montage | schraubbar | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | Schottky | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Technologie | SiC |
Bruttogewicht37.34 g
Zertifikate
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* DCG85X1200NAAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st